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作者：admin • 更新时间：2025-03-15 •阅读 740

三星宣布开发出业界首个基于HKMG的DDR5，容量达到512GB，其DDR5的三大亮点：更高性能，更大容量，更低功耗，可以更好的满足人工智能AI/机器学习ML，以及大数据分析、密集型工作负载的数据中心领域需求，目前正在对客户进行送样三星DDR5模块利用Through-SiliconVia(TSV)技术，新的DDR58层堆叠16GbDRAM芯片，可提供512GB的最大容量，而在2014年首次使用TSV技术也推出了容量高达256GB得DRAM服务器模块。

同时，三星基于High-KMetalGate（HKMG）工艺技术，使DDR5模块最高达到7200Mbps的速度，相当于DDR4性能的2倍以上。早在2018年，三星GDDR6是首次采用HKMG工艺，如今已将该技术扩大到了新一代DDR5产品中，进一步巩固其在下一代DRAM先进技术上的领先地位。此外，由于随着DRAM结构的不断缩小，绝缘层变薄，导致漏电的风险增大。三星采用HKMG技术，DDR5不仅在性能上达到新的高度，而且可减少大约13%的功耗，使其特别适用于对能效要求越来越高的数据中心领域。

三星将与英特尔合作，加快DDR5向数据中心领域过渡随着大数据存储对更高性能的要求，英特尔SapphireRapids架构服务器处理器，将基于10nm工艺，采用最新增强型SuperFin晶体管技术，支持DDR5内存、总线、异构互联协议等，将于2025年下半年开始首批生产发货。在英特尔服务器处理器的支持下，DDR5将向云数据中心、网络和边缘部署的领域过渡，三星DRAM计划小组副总裁Young-SooSohn表示，正在与英特尔等工程团队密切合作，凭借快速、节能的DDR5产品，不断优化服务器存储架构，提高性能。

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